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Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Polarización | unipolar | |
Clase de transistor | RF | |
Tensión drenaje-fuente | 500V | |
Corriente del drenaje | 10A | |
Poder disipado | 910W | |
Carcasa | T3A-8 | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Frecuencia | 128MHz | |
Clase de canal | empobrecido | |
Estructura del semiconductor | fuente conjunta | |
Propiedades de elementos semiconductores | dual gate | |
Potencia de salida | 900W | |
Montaje eléctrico | FASTON terminales, para soldar, THT | |
Amplificación | 16dB | |
Rendimiento | 55% | |
Montaje mecánico | atornillado |