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Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | ||
Polarización | unipolar | ||
Clase de transistor | RF | ||
Tensión drenaje-fuente | 500V | ||
Corriente del drenaje | 10A | ||
Poder disipado | 910W | ||
Carcasa | T3A-8 | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Clase de empaquetado | tubo | ||
Frecuencia | 128MHz | ||
Clase de canal | empobrecido | ||
Estructura del semiconductor | fuente conjunta | ||
Propiedades de elementos semiconductores | dual gate | ||
Potencia de salida | 900W | ||
Montaje eléctrico | FASTON terminales, para soldar, THT | ||
Amplificación | 16dB | ||
Rendimiento | 55% | ||
Montaje mecánico | atornillado |