B1M080120HK
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B1M080120HK
Símbolo TME:
B1M080120HK
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 27A | |
Corriente del drenaje en impulso | 80A | |
Poder disipado | 241W | |
Carcasa | TO247-4 | |
Tensión puerta-fuente | -5...20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 80mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 149nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido | |
Propiedades de elementos semiconductores | derivación Kelvin |
Peso bruto6.7 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* B1M080120HKNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
13 en stock en TME
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Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 20.90 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 20.90 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 18.46 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 18.46 USD
Precio neto para cantidades a partir de 150 und - 15.44 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 150 und - 15.44 USD
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Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und