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B2M040120Z

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 51A; Idm: 128A; 348W

El productor: BASiC SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
B2M040120Z
Símbolo TME:
B2M040120Z

Especificación

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
SiC
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
51A
Corriente del drenaje en impulso
128A
Poder disipado
348W
Carcasa
TO247-4
Tensión puerta-fuente
-4...18V
Resistencia en estado de transferencia
40mΩ
Montaje
THT
Carga de puerta
90nC
Clase de empaquetado
tubo
Clase de canal
enriquecido
Propiedades de elementos semiconductores
derivación Kelvin
Peso bruto1 g
Certificados

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca

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B2M040120Z
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