B2M065120H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B2M065120H
Símbolo TME:
B2M065120H
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 33A | |
Corriente del drenaje en impulso | 85A | |
Poder disipado | 250W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión puerta-fuente | -4...18V | |
Resistencia en estado de transferencia | 65mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 60nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto6.273 g
Certificados
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* B2M065120HNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
58 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 11.40 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 11.40 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 10.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 10.31 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 9.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 9.13 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 8.20 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 8.20 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und