B2M080120H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 28A; Idm: 68A; 187W
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B2M080120H
Símbolo TME:
B2M080120H
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 28A | |
Corriente del drenaje en impulso | 68A | |
Poder disipado | 187W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión puerta-fuente | -4...18V | |
Resistencia en estado de transferencia | 80mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 46nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
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* B2M080120HNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 2.29 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 2.29 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 2.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 2.06 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 1.83 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 1.83 USD
Precio neto para cantidades a partir de 120 und - 1.65 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 120 und - 1.65 USD
Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 1.54 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 1.54 USD