NOVEDAD
B2M160120H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 16A; Idm: 39A; 123W
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B2M160120H
Símbolo TME:
B2M160120H
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo de transistor | N-MOSFET | ||
Tecnología | SiC | ||
Polarización | unipolar | ||
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | ||
Corriente del drenaje | 16A | ||
Corriente del drenaje en impulso | 39A | ||
Poder disipado | 123W | ||
Carcasa | TO247-3 | ||
Tensión puerta-fuente | -4...18V | ||
Resistencia en estado de transferencia | 0,16Ω | ||
Montaje | THT | ||
Carga de puerta | 26nC | ||
Clase de empaquetado | tubo | ||
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* B2M160120HNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.64 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.64 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.47 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.47 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 1.30 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 1.30 USD
Precio neto para cantidades a partir de 120 und - 1.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 120 und - 1.17 USD
Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 1.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 1.08 USD