NOVEDAD
B2M600170HH
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B2M600170HH
Símbolo TME:
B2M600170HH
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,7kV | |
Corriente del drenaje | 5A | |
Corriente del drenaje en impulso | 10A | |
Poder disipado | 75W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión puerta-fuente | -4...18V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,6Ω | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 14nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto6.03 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M600170HHNúmero de unidades (Multiplicidad: 300)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 2.04 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 2.04 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und