B2M600170R
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 4A; Idm: 10A; 60W
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B2M600170R
Símbolo TME:
B2M600170R
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,7kV | |
Corriente del drenaje | 4A | |
Corriente del drenaje en impulso | 10A | |
Poder disipado | 60W | |
Carcasa | TO263-7 | |
Tensión puerta-fuente | -4...18V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,6Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 14nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Propiedades de elementos semiconductores | derivación Kelvin |
Peso bruto1 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal N SMD BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M600170RNúmero de unidades (Multiplicidad: 800)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 800 und - 2.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 800 und - 2.31 USD