NOVEDAD
B3DM100120N
Módulo: diodos; doble independencia; 1,2kV; If: 100Ax2; SOT227
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B3DM100120N
Símbolo TME:
B3DM100120N
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo de módulo semiconductor | diodos | ||
Estructura del semiconductor | doble independencia | ||
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | ||
Corriente conductiva | 100A x2 | ||
Carcasa | SOT227 | ||
Corriente en impulso max. | 700A | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Corriente conductiva máx. | 600A | ||
Montaje mecánico | atornillado | ||
Propiedades de elementos semiconductores | Schottky | ||
Clase de empaquetado | tubo | ||
Tecnología | SiC |
Peso bruto1 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* B3DM100120NNúmero de unidades (Multiplicidad: 150)
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Precio neto para cantidades a partir de 150 und - 18.62 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 150 und - 18.62 USD