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B3M010C075Z

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 750V; 169A; Idm: 480A; 750W

El productor: BASiC SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
B3M010C075Z
Símbolo TME:
B3M010C075Z

Especificación

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
SiC
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
750V
Corriente del drenaje
169A
Corriente del drenaje en impulso
480A
Poder disipado
750W
Carcasa
TO247-4
Tensión puerta-fuente
-5...18V
Resistencia en estado de transferencia
10mΩ
Montaje
THT
Carga de puerta
0,22µC
Clase de empaquetado
tubo
Clase de canal
enriquecido
Propiedades de elementos semiconductores
derivación Kelvin
Peso bruto1 g
Certificados

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca

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B3M010C075Z
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