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Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 750V | |
Corriente del drenaje | 169A | |
Corriente del drenaje en impulso | 480A | |
Poder disipado | 750W | |
Carcasa | TO247-4 | |
Tensión puerta-fuente | -5...18V | |
Resistencia en estado de transferencia | 10mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 0,22µC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido | |
Propiedades de elementos semiconductores | derivación Kelvin |