B3M013C120Z
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 127A; Idm: 360A; 750W
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B3M013C120Z
Símbolo TME:
B3M013C120Z
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 127A | |
Corriente del drenaje en impulso | 360A | |
Poder disipado | 750W | |
Carcasa | TO247-4 | |
Tensión puerta-fuente | -5...18V | |
Resistencia en estado de transferencia | 13,5mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 225nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido | |
Propiedades de elementos semiconductores | derivación Kelvin |
Peso bruto1 g
Certificados
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* B3M013C120ZNúmero de unidades (Multiplicidad: 300)
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Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 4.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 4.21 USD