B3M040065H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B3M040065H
Símbolo TME:
B3M040065H
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 650V | |
Corriente del drenaje | 47A | |
Corriente del drenaje en impulso | 108A | |
Poder disipado | 250W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión puerta-fuente | -5...18V | |
Resistencia en estado de transferencia | 40mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 60nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
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* B3M040065HNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 2.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 2.16 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.96 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.96 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 1.73 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 1.73 USD
Precio neto para cantidades a partir de 120 und - 1.55 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 120 und - 1.55 USD
Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 1.45 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 1.45 USD