B3M040120R
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 44A; Idm: 108A; 300W
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B3M040120R
Símbolo TME:
B3M040120R
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 44A | |
Corriente del drenaje en impulso | 108A | |
Poder disipado | 300W | |
Carcasa | TO263-7 | |
Tensión puerta-fuente | -5...18V | |
Resistencia en estado de transferencia | 40mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 87nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Propiedades de elementos semiconductores | derivación Kelvin |
Peso bruto1 g
Certificados
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* B3M040120RNúmero de unidades (Multiplicidad: 800)
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Precio neto para cantidades a partir de 800 und - 1.57 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 800 und - 1.57 USD