BGH75N120HF1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 75A; 568W; TO247-3
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
BGH75N120HF1
Símbolo TME:
BGH75N120HF1
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Tensión colector-emisor | 1,2kV | |
Corriente de colector | 75A | |
Poder disipado | 568W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 200A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 398nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 140ns | |
Tiempo de desconexión | 443ns | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |
Peso bruto6.217 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* BGH75N120HF1Número de unidades (Multiplicidad: 1)
5 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 11.50 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 11.50 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 10.40 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 10.40 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 9.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 9.21 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 8.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 8.28 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und