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BR25G512F-3GE2

IC: memoria EEPROM; 512kbEEPROM; SPI; 64kx8bit; 10MHz; SOP8

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
BR25G512F-3GE2
Símbolo TME:
BR25G512F-3GE2

Especificación

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de circuito integrado
memoria EEPROM
Clase de memoria
EEPROM
Memoria
512kb EEPROM
Interfaz
SPI
Organización de memoria
64kx8bit
Frecuencia de tacteado
10MHz
Montaje
SMD
Carcasa
SOP8
Tipo de interfaz
en serie
Temperatura de trabajo
-40...85°C
Tiempo de acceso
5ms
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Tensión de alimentación
  • 1,8...5,5V DC
Peso bruto0.5 g
Certificados
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BR25G512F-3GE2
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