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CSD13302WT

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1,6A; Idm: 29A; 1,8W; DSBGA4

Documentación EN
Familia de productos

El productor: TEXAS INSTRUMENTS

Denominación de fabricante:
CSD13302WT
Símbolo TME:
CSD13302WT

Especificación

Fabricante
TEXAS INSTRUMENTS
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
NexFET™
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
12V
Corriente del drenaje
1,6A
Corriente del drenaje en impulso
29A
Poder disipado
1,8W
Carcasa
DSBGA4
Tensión puerta-fuente
±10V
Resistencia en estado de transferencia
25,8mΩ
Montaje
SMD
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.001 g
Certificados

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CSD13302WT
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