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CSD23280F3T

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; 2,9A; Idm: 11,4A; 1,4W

Documentación EN
Familia de productos

El productor: TEXAS INSTRUMENTS

Denominación de fabricante:
CSD23280F3T
Símbolo TME:
CSD23280F3T

Especificación

Fabricante
TEXAS INSTRUMENTS
Tipo de transistor
P-MOSFET
Tecnología
NexFET™
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
-12V
Corriente del drenaje
2,9A
Corriente del drenaje en impulso
11,4A
Poder disipado
1,4W
Carcasa
PICOSTAR3
Tensión puerta-fuente
±6V
Resistencia en estado de transferencia
0,399Ω
Montaje
SMD
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.001 g
Certificados

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CSD23280F3T
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