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El productor: TEXAS INSTRUMENTS
Fabricante | TEXAS INSTRUMENTS | ||
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | ||
Tecnología | NexFET™ | ||
Polarización | unipolar | ||
Tensión drenaje-fuente | 20V | ||
Poder disipado | 1,7W | ||
Carcasa | PICOSTAR4 | ||
Tensión puerta-fuente | ±10V | ||
Resistencia en estado de transferencia | 36mΩ | ||
Montaje | SMD | ||
Clase de empaquetado | bobina, cinta | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Estructura del semiconductor | drenaje conjunto | ||
Versión | ESD |