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CSD88539NDT

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2,1W; SO8

Documentación EN
Familia de productos

El productor: TEXAS INSTRUMENTS

Denominación de fabricante:
CSD88539NDT
Símbolo TME:
CSD88539NDT

Especificación

Fabricante
TEXAS INSTRUMENTS
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Tecnología
NexFET™
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
60V
Corriente del drenaje
15A
Poder disipado
2,1W
Carcasa
SO8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
23mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
7,2nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.111 g
Certificados

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CSD88539NDT
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Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 0.98 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 0.98 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.69 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.69 USD
Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.65 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.65 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Método de envasado por el fabricanteRulo = 250 und