DACMI200N1200
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 125A; SOT227B; atornillado
El productor: DACO Semiconductor
Denominación de fabricante:
DACMI200N1200
Símbolo TME:
DACMI200N1200-DCO
Especificación
Fabricante | DACO Semiconductor | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 125A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 15mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 500A | |
Poder disipado | 980W | |
Tecnología | SiC | |
Tensión puerta-fuente | -10...20V | |
Temperatura de trabajo | -55...150°C | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto174.28 g
Certificados
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* DACMI200N1200Número de unidades (Multiplicidad: 1)
6 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 180.55 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 180.55 USD
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Método de envasado por el fabricanteCartón = 5 und