DACMI80N1200
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 50A; SOT227B; atornillado
El productor: DACO Semiconductor
Denominación de fabricante:
DACMI80N1200
Símbolo TME:
DACMI80N1200-DCO
Especificación
Fabricante | DACO Semiconductor | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | ||
Corriente del drenaje | 50A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 34mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 250A | ||
Poder disipado | 460W | ||
Tecnología | SiC | ||
Tensión puerta-fuente | -10...20V | ||
Temperatura de trabajo | -55...150°C | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto36.6 g
Certificados
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* DACMI80N1200Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 51.03 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 51.03 USD
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