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DCG45X1200NA

Módulo: diodos; doble independencia; 1,2kV; If: 22Ax2; SOT227B

El productor: IXYS

Denominación de fabricante:
DCG45X1200NA
Símbolo TME:
DCG45X1200NA

Especificación

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semiconductor
diodos
Estructura del semiconductor
doble independencia
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente conductiva
22A x2
Carcasa
SOT227B
Corriente conductiva máx.
2,2V
Montaje eléctrico
atornillado
Corriente conductiva máx.
44A
Montaje mecánico
atornillado
Propiedades de elementos semiconductores
Schottky
Clase de empaquetado
tubo
Tecnología
SiC
Peso bruto35.98 g
Certificados
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DCG45X1200NA
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