DCG85X1200NA
Módulo: diodos; doble independencia; 1,2kV; If: 41Ax2; SOT227B
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
DCG85X1200NA
Símbolo TME:
DCG85X1200NA
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | diodos | |
Estructura del semiconductor | doble independencia | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente conductiva | 41A x2 | |
Carcasa | SOT227B | |
Corriente conductiva máx. | 2,2V | |
Corriente en impulso max. | 1,15kA | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Corriente conductiva máx. | 82A | |
Montaje mecánico | atornillado | |
Propiedades de elementos semiconductores | Schottky | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tecnología | SiC |
Peso bruto37.34 g
Certificados
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* DCG85X1200NANúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 164.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 164.08 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 159.46 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 159.46 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 156.00 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 156.00 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und