DG30X07T2

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR DG30X07T2
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: DG30X07T2
Availability: InStock

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

DG30X07T2

Símbolo TME:

DG30X07T2

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 2.88 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 2.88 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 2.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 2.58 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 2.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 2.28 USD

Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 2.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 2.06 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und

Fabricante	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	IGBT
Tensión colector-emisor	650V
Corriente de colector	30A
Poder disipado	208W
Carcasa	TO247
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	90A
Montaje	THT
Carga de puerta	0,22µC
Clase de empaquetado	tubo
Tiempo de conexión	0,1µs
Tiempo de desconexión	306ns
Propiedades de elementos semiconductores	integrated anti-parallel diode