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El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Fabricante | STARPOWER SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tensión colector-emisor | 1,2kV | |
Corriente de colector | 40A | |
Poder disipado | 468W | |
Carcasa | TO247 | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 120A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 0,27µC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 198ns | |
Tiempo de desconexión | 668ns | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |