DMN1025UFDB-7

Name: DIODES INCORPORATED DMN1025UFDB-7
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMN1025UFDB-7
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5,5A; Idm: 35A; 1,7W

El productor: DIODES INCORPORATED

Denominación de fabricante:

DMN1025UFDB-7

Símbolo TME:

DMN1025UFDB-7

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.24 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.19 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.16 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.15 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.15 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.11 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.11 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.10 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.10 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

El producto está disponible hasta fin de existencias

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	DIODES INCORPORATED
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	12V
Corriente del drenaje	5,5A
Corriente del drenaje en impulso	35A
Poder disipado	1,7W
Carcasa	U-DFN2020-6
Tensión puerta-fuente	±10V
Resistencia en estado de transferencia	38mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	23,1nC
Clase de empaquetado	cinta, rollo de 7 pulgadas
Clase de canal	enriquecido