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DMN33D8LDW-13

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 200mA; Idm: 0,8A; 220mW

El productor: DIODES INCORPORATED

Denominación de fabricante:
DMN33D8LDW-13
Símbolo TME:
DMN33D8LDW-13

Especificación

Fabricante
DIODES INCORPORATED
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
30V
Corriente del drenaje
0,2A
Corriente del drenaje en impulso
0,8A
Poder disipado
0,22W
Carcasa
SOT363
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
20Ω
Montaje
SMD
Carga de puerta
1,23nC
Clase de empaquetado
cinta, rollo de 13 pulgadas
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto1 g
Certificados

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DMN33D8LDW-13
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