DMN63D1LDW-7

Name: DIODES INCORPORATED DMN63D1LDW-7
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMN63D1LDW-7
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1,2A; 390mW

El productor: DIODES INCORPORATED

Denominación de fabricante:

DMN63D1LDW-7

Símbolo TME:

DMN63D1LDW-7

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.48 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.48 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.17 USD

Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 0.11 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 0.11 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.09 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.09 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.07 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.07 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Fabricante	DIODES INCORPORATED
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	60V
Corriente del drenaje	0,2A
Corriente del drenaje en impulso	1,2A
Poder disipado	0,39W
Carcasa	SOT363
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	3Ω
Montaje	SMD
Carga de puerta	304pC
Clase de empaquetado	cinta, rollo de 7 pulgadas
Clase de canal	enriquecido