DMN63D8LDW-13

Name: DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW-13
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMN63D8LDW-13
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0,17A; Idm: 0,8A; 0,4W; ESD

El productor: DIODES INCORPORATED

Denominación de fabricante:

DMN63D8LDW-13

Símbolo TME:

DMN63D8LDW-13

Precio neto para cantidades a partir de 10000 und - 0.04 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10000 und - 0.04 USD

Precio neto para cantidades a partir de 20000 und - 0.04 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 20000 und - 0.04 USD

Precio neto para cantidades a partir de 30000 und - 0.04 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30000 und - 0.04 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50000 und - 0.03 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50000 und - 0.03 USD

Precio neto para cantidades a partir de 70000 und - 0.03 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 70000 und - 0.03 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	DIODES INCORPORATED
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	0,17A
Corriente del drenaje en impulso	0,8A
Poder disipado	0,4W
Carcasa	SOT363
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	4,5Ω
Montaje	SMD
Clase de empaquetado	cinta, rollo de 13 pulgadas
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD