Name: DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW-7
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMN63D8LDW-7
Availability: OutOfStock

DMN63D8LDW-7

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.27 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.19 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.11 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.11 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.07 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.06 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1500 und - 0.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1500 und - 0.06 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.05 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.05 USD

Precio neto para cantidades a partir de 9000 und - 0.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 9000 und - 0.05 USD

Precio neto para cantidades a partir de 24000 und - 0.04 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 24000 und - 0.04 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	DIODES INCORPORATED
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	0,17A
Corriente del drenaje en impulso	0,8A
Poder disipado	0,4W
Carcasa	SOT363
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	4,5Ω
Montaje	SMD
Clase de empaquetado	cinta, rollo de 7 pulgadas
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD

DMN63D8LDW-7

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0,17A; Idm: 0,8A; 0,4W; ESD