DMN63D8LDWQ-7

Name: DIODES INCORPORATED DMN63D8LDWQ-7
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMN63D8LDWQ-7
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0,26A; 0,3W; SOT363; ESD

El productor: DIODES INCORPORATED

Denominación de fabricante:

DMN63D8LDWQ-7

Símbolo TME:

DMN63D8LDWQ-7

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.17 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.12 USD

Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 0.10 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 0.10 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.07 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.05 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.04 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.04 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

El producto está disponible hasta fin de existencias

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	DIODES INCORPORATED
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	0,26A
Poder disipado	0,3W
Carcasa	SOT363
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	2,8Ω
Montaje	SMD
Clase de empaquetado	cinta, rollo de 7 pulgadas
Clase de canal	enriquecido
Uso	rama automotriz
Versión	ESD