DMN67D8LDW-7

Name: DIODES INCORPORATED DMN67D8LDW-7
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMN67D8LDW-7
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0,8A; 410mW

El productor: DIODES INCORPORATED

Denominación de fabricante:

DMN67D8LDW-7

Símbolo TME:

DMN67D8LDW-7

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.34 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.34 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.21 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.13 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.08 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.06 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.06 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Fabricante	DIODES INCORPORATED
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	60V
Corriente del drenaje	0,18A
Corriente del drenaje en impulso	0,8A
Poder disipado	0,41W
Carcasa	SOT363
Tensión puerta-fuente	±30V
Resistencia en estado de transferencia	7,5Ω
Montaje	SMD
Carga de puerta	821pC
Clase de empaquetado	cinta, rollo de 7 pulgadas
Clase de canal	enriquecido