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DMT3020UFDB-13

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5,2A; Idm: 35A; 1,3W

El productor: DIODES INCORPORATED

Denominación de fabricante:
DMT3020UFDB-13
Símbolo TME:
DMT3020UFDB-13

Especificación

Fabricante
DIODES INCORPORATED
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
30V
Corriente del drenaje
5,2A
Corriente del drenaje en impulso
35A
Poder disipado
1,3W
Carcasa
U-DFN2020-6
Tensión puerta-fuente
±12V
Resistencia en estado de transferencia
30mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
8,8nC
Clase de empaquetado
cinta, rollo de 13 pulgadas
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto1 g
Certificados

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DMT3020UFDB-13
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