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DMTH4014LDVW-13

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7,2A; Idm: 110A; 2,6W

El productor: DIODES INCORPORATED

Denominación de fabricante:
DMTH4014LDVW-13
Símbolo TME:
DMTH4014LDVW-13

Especificación

Fabricante
DIODES INCORPORATED
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
40V
Corriente del drenaje
7,2A
Corriente del drenaje en impulso
110A
Poder disipado
2,6W
Carcasa
PowerDI3333-8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
25mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
11,2nC
Clase de empaquetado
cinta, rollo de 13 pulgadas
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto1 g
Certificados

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DMTH4014LDVW-13
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