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FDB024N08BL7

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 162A; Idm: 916A; 246W; D2PAK


El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDB024N08BL7
Símbolo TME:
FDB024N08BL7

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
80V
Corriente del drenaje
162A
Corriente del drenaje en impulso
916A
Poder disipado
246W
Carcasa
D2PAK
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
2,4mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
178nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto2 g
Certificados

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FDB024N08BL7
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