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FDB2532

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK

Documentación EN
Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDB2532
Símbolo TME:
FDB2532

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
150V
Corriente del drenaje
56A
Poder disipado
310W
Carcasa
D2PAK
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
14mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
82nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto1.792 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal N SMD ONSEMI,
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FDB2532
166 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 4.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 4.27 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 3.60 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 3.60 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 3.20 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 3.20 USD
Precio neto para cantidades a partir de 40 und - 3.00 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 40 und - 3.00 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 2.92 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 2.92 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 2.66 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 2.66 USD
Precio neto para cantidades a partir de 200 und - 2.57 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 200 und - 2.57 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
Método de envasado por el fabricanteRulo = 800 und