+1 500 000 productos en oferta

7000 paquetes cada día

+300 000 clientes de 150 países

Quick Buy Favoritos
Carrito

FDB3632

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK


El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDB3632
Símbolo TME:
FDB3632

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
80A
Poder disipado
310W
Carcasa
D2PAK
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
22mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
110nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto1.69 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal N SMD ONSEMI,
*
FDB3632
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 800 und - 2.10 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 800 und - 2.10 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 800)
Cantidad mínima a pedir: 800.
Multiplicidad: 800.
Método de envasado por el fabricanteRulo = 800 und