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FDB3652

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK

Documentación EN
Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDB3652
Símbolo TME:
FDB3652

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
61A
Poder disipado
150W
Carcasa
D2PAK
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
43mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
53nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto1.858 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal N SMD ONSEMI,
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FDB3652
46 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 2.77 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 2.77 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 2.22 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 2.22 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.94 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.94 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 1.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 1.63 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 1.46 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 1.46 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
Método de envasado por el fabricanteRulo = 800 und