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FDB5800

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK

Documentación EN
Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDB5800
Símbolo TME:
FDB5800

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
60V
Corriente del drenaje
80A
Poder disipado
242W
Carcasa
D2PAK
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
12,6mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
135nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto1.693 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal N SMD ONSEMI,
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FDB5800
285 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 4.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 4.05 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 3.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 3.19 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 2.70 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 2.70 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 2.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 2.16 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 2.04 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 2.04 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
Método de envasado por el fabricanteRulo = 800 und