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FDB8896

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 80W; D2PAK


El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDB8896
Símbolo TME:
FDB8896

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
30V
Corriente del drenaje
80A
Poder disipado
80W
Carcasa
D2PAK
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
9,4mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
67nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto1.5 g
Certificados

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FDB8896
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