FDC3601N

Name: ONSEMI FDC3601N
Brand: ONSEMI
SKU: FDC3601N
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0,96W; SuperSOT-6

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

FDC3601N

Símbolo TME:

FDC3601N

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.89 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.89 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.58 USD

Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 0.49 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 0.49 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.38 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.38 USD

Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.32 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.32 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.29 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.29 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.27 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	100V
Corriente del drenaje	1A
Poder disipado	0,96W
Carcasa	SuperSOT-6
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	976mΩ
Montaje	SMD
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido