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FDC6305N

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2,7A; 0,96W; SuperSOT-6

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDC6305N
Símbolo TME:
FDC6305N

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
20V
Corriente del drenaje
2,7A
Poder disipado
0,96W
Carcasa
SuperSOT-6
Tensión puerta-fuente
±8V
Resistencia en estado de transferencia
128mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
5nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.027 g
Certificados

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FDC6305N
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Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und