FDC6318P

Name: ONSEMI FDC6318P
Brand: ONSEMI
SKU: FDC6318P
Availability: InStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2,5A; 0,96W; SuperSOT-6

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

FDC6318P

Símbolo TME:

FDC6318P

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.83 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.83 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.62 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.62 USD

Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 0.54 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 0.54 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.43 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.43 USD

Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.41 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.41 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

El producto está disponible hasta fin de existencias

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	P-MOSFET x2
Tecnología	PowerTrench®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	-12V
Corriente del drenaje	-2,5A
Poder disipado	0,96W
Carcasa	SuperSOT-6
Tensión puerta-fuente	±8V
Resistencia en estado de transferencia	0,2Ω
Montaje	SMD
Carga de puerta	8nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido