FDC6401N

Name: ONSEMI FDC6401N
Brand: ONSEMI
SKU: FDC6401N
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0,96W; SuperSOT-6

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

FDC6401N

Símbolo TME:

FDC6401N

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.04 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.04 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.88 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.88 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.77 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.77 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.53 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.53 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.45 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.45 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.33 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.33 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.32 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.32 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Tecnología	PowerTrench®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	20V
Corriente del drenaje	3A
Poder disipado	0,96W
Carcasa	SuperSOT-6
Tensión puerta-fuente	±12V
Resistencia en estado de transferencia	106mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	4,6nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido