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FDC6506P

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -1,8A; 0,96W; SuperSOT-6

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDC6506P
Símbolo TME:
FDC6506P

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
P-MOSFET x2
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
-30V
Corriente del drenaje
-1,8A
Poder disipado
0,96W
Carcasa
SuperSOT-6
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
0,28Ω
Montaje
SMD
Carga de puerta
3,5nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.187 g
Certificados
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FDC6506P
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