FDC6561AN

Name: ONSEMI FDC6561AN
Brand: ONSEMI
SKU: FDC6561AN
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2,5A; 0,96W; SuperSOT-6

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

FDC6561AN

Símbolo TME:

FDC6561AN

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.96 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.96 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.80 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.80 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.68 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.68 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.43 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.43 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.36 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.36 USD

Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.29 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.29 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.27 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.26 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Tecnología	PowerTrench®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	2,5A
Poder disipado	0,96W
Carcasa	SuperSOT-6
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	152mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	3,2nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido