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El productor: ONSEMI
Fabricante | ONSEMI | ||
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | ||
Polarización | unipolar | ||
Tensión drenaje-fuente | 100V | ||
Corriente del drenaje | 1,2A | ||
Corriente del drenaje en impulso | 5A | ||
Poder disipado | 0,96W | ||
Carcasa | SuperSOT-6 | ||
Tensión puerta-fuente | ±20V | ||
Resistencia en estado de transferencia | 0,6Ω | ||
Montaje | SMD | ||
Carga de puerta | 2nC | ||
Clase de empaquetado | bobina, cinta | ||
Clase de canal | enriquecido |