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FDD306P

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6,7A; 52W; DPAK

Documentación EN
Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDD306P
Símbolo TME:
FDD306P

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
P-MOSFET
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
-12V
Corriente del drenaje
-6,7A
Poder disipado
52W
Carcasa
DPAK
Tensión puerta-fuente
±8V
Resistencia en estado de transferencia
90mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
21nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.399 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal P SMD ONSEMI,
*
FDD306P
227 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.54 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.54 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 1.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 1.21 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.05 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.77 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.77 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.68 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.68 USD
Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.60 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.60 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
Método de envasado por el fabricanteRulo = 2 500 und