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FDD86367

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK

Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDD86367
Símbolo TME:
FDD86367

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
80V
Corriente del drenaje
100A
Poder disipado
227W
Carcasa
DPAK
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
8,4mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
88nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.392 g
Certificados

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FDD86367
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Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
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