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FDG6304P

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0,41A; 0,3W

Documentación EN
Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDG6304P
Símbolo TME:
FDG6304P

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
P-MOSFET x2
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
-25V
Corriente del drenaje
-0,41A
Poder disipado
0,3W
Carcasa
SC70-6, SC88, SOT363
Tensión puerta-fuente
±8V
Resistencia en estado de transferencia
1,9Ω
Montaje
SMD
Carga de puerta
1,5nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.017 g
Certificados

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FDG6304P
1210 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.90 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.90 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.56 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.56 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.37 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.37 USD
Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.32 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.32 USD
Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.29 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.29 USD
Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.26 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.23 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.23 USD
Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.22 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.22 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und